CYSJ106DFN GaAs Linearer Hall-Effekt Sensor

CYSJ106DFN GaAs Linearer Hall-Effekt Sensor
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Die CYSJ106DFN Hall-Effekt Elementserie ist ein mit Ionen implantierter Magnetfeldsensor, der... mehr
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CYSJ106DFN GaAs Linearer Hall-Effekt Sensor

Die CYSJ106DFN Hall-Effekt Elementserie ist ein mit Ionen implantierter Magnetfeldsensor, der aus einem monokristallinen Gallium-Arsen (GaAs) Halbleitermaterial der Gruppe (III-V) hergestellt wird, die Ionenimplantierte Technologie wird angewandt. Er kann ein magnetisches Flussdichtesignal linear in ein Ausgangsspannungssignal umwandeln.

Eigenschaften

  • hohe Linearität
  • ausgezeichnete Temperaturstabilität
  • Miniaturgehäuse
  • weiter Messbereich 0-3T

Typische Anwendungen

  • Magnetfeldmessungen
  • DC Bürstenlose Motoren
  • Stromsensor
  • Kontaktlose Schalter
  • Positionskontrolle
  • Drehzahlerkennung
Technische Eigenschaften
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Betriebstemperatur: -40°C ~ +125°C
Messbereich: 3T
Max.Sensitivität: 1.80 ~ 2.4 mV/mT
Linearität: 2%
Eingangs-/Ausgangswiderstand: 650 ~ 850 kΩ/ 650 ~ 850kΩ
Gehäuse/Größe: DFN/1.2x0.5x0.3mm
Max. Versorgungsstrom/-spannung: 11mA/9.5V
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