InSb Hall-Effekt Elemente CYSH12AF, Max. Sensitivität: 7.84 - 16.6 (mV/mT)
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ab 100 | 0,29 € * |
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Das Hall-Effekt Element CYSH12AF wird aus dem zusammengesetzten Halbleitermaterial Indium... mehr
InSb Hall-Effekt Elemente CYSH12AF, Max. Sensitivität: 7.84 - 16.6 (mV/mT)
Das Hall-Effekt Element CYSH12AF wird aus dem zusammengesetzten Halbleitermaterial Indium Stibnit (lnSb) hergestellt, es arbeitet nach dem Hall-Effekt Prinzip. Mit dem Element kann ein magnetisches Flussdichtensignal linear in ein Ausgangsspannungssignal umgewandelt werden. Es handelt sich hierbei um die neue Generation von Hall-Effekt Elementen CYTY101A.
Eigenschaften
- hohe magnetische Empfindlichkeit
- niedrige Offset-Spannung
- Miniaturgehäuse
Anwendungen
- Magnetfeldmessung
- Stromsensor
- Geschwindigkeitsmessung
- DC Bürstenlose Motoren
- Positionkontrolle
Gehäuse/Größe: | SOT143/2.9x1.5x1.1mm |
Max.Sensitivität: | 7.84 ~ 16.6 mV/mT |
Eingangs-/Ausgangswiderstand: | 240 ~ 550kΩ/240 ~ 550kΩ |
Max. Versorgungsstrom/-spannung: | 20 mA |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ +110°C |
Datenblätter zum Herunterladen:
Daten zum Produkthersteller
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Hersteller:
Unternehmensname: ChenYang Technologies GmbH & Co.KG
Adresse: Markt Schwabener Str. 8; 85464 Finsing; Deutschland
E-Mail: info@chenyang.de
Telefon: +49 8121 2574100
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